SEUL, Corea del Sur.- Samsung continúa ampliando la potencia para sus smarthphones. Con los 3GB de memoria RAM con lo que la firma equipo al Note3, se vio lo máximo para un celular o tablet.
Pero la llegada de este 2014 trae sorpresas para los fanáticos, ya que la empresa acaba de presentar su primera RAM construida en 20nm de baja potencia para chips con memoria DDR4 con 8 gigabits, lo que podría llevar a 4GB de memoria en diferentes capas debido a la mayor densidad.
“Esta próxima generación de DRAM LPDDR4 contribuirá significativamente al rápido crecimiento del mercado mundial de DRAM móvil, que pronto comprenderá la mayor cuota del mercado de todas las memorias DRAM”, así lo explicó el vicepresidente ejecutivo en ventas y marketing de Samsung Electronics, Young-Hyun Jun.
Según el sitio Samsungtomorrow, la compañía promete que en alguna época de este 2014, la producción será en masa, lo que permitirá que los nuevos Android de alta gama tengan un acceso a esta pieza fundamental. Una memoria RAM de 4GB LPDDR4 que ofrecerá una experiencia aun más completa de lo que tenemos ahora, ya que la velocidad será hasta un 50% más rápida que los chips DDR3.